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Colloque
La canalisation des ions par la structure cristalline a pu être mise en évidence par l'implantation d'hydrogène à différents angles d'incidence dans le silicium monocristallin et polycristallin. Les parcours résultants sont mesurés à l'aide de la technique de détection des reculs élastiques (DRE) avec filtre ExB. En utilisant des monocristaux dont la normale est orientée selon les axes <110>, <111> et <100>, nous avons observé une décroissance du parcours pour ces trois directions respectivement, tandis que le silicium polycristallin a donné une valeur intermédiaire. Dans le cas <110>, en variant l'énergie (0.5 à 2 keV) nous avons mesuré un parcours …
