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Colloque
La formation de buée est source d'ennui pour les porteurs de verres correcteurs ainsi qu'une cause d'accidents en industrie et dans la pratique des sports. Dans cette étude, la formation de buée a été observée pour deux types de matériaux : le CR-39 (diéthylèneglycol bis allylcarbonate) et le PC (polycarbonate-Lexan). Les propriétés des surfaces des échantillons ont été modifiées par l'implantation à différentes doses d'ions d’Ar (3keV) sous pression partielle d'oxygène. Les angles de contact en propagation et en retrait atteignent des valeurs aussi basses que 5 ° après le traitement. Malheureusement une augmentation des angles de contact avec le …
Colloque
L'implantation des ions d'hydrogène prend de plus en plus de l'importance dans les technologies exigées par le développement des générations futures de dispositifs électroniques. La technologie Smart-Cut®, a permis la fabrication des substrats SOI (silicium sur isolant) de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé, en utilisant des ions de basse énergie, que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm pose des problèmes particuliers qui défient les modèles présentés pour …
Colloque
L'implantation ionique dans les matériaux isolants cause une accumulation de charges électriques à la surface qui est dû non seulement aux charges transportées par les ions implantés, mais aussi à l'émission des électrons secondaires lors de l'impact d'ions. Des échantillons de polyéthylène de différentes tailles (1.1x1.1 cm2 à 3.4x3.4 cm2) ont été implantés avec des ions D+ de 1.1 keV à une dose de 3.9x1016/cm2. Des galettes de Si ayant la dimension du collimateur ont été fixées au centre de chaque isolant, puis implantées par des ions H+ de 1.1 keV. Pour tous les échantillons, l'étude de l'évolution des profils …
Colloque
La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
Colloque
La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
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La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
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La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
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La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
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La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
