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Caractérisation des membranes de carbure de Si-Ticium pour les masques de la lithographie à rayons-X
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Dans le cadre du développement de la lithographie à rayons-X, nous avons développé, à l'INRS Énergie, des masques en vue de cette application en utilisant le procédé PECVD. Étant données ses propriétés mécaniques et optiques, le SiC est un très bon candidat comme matériau pour les membranes à rayons-X. Nous nous intéressons plus particulièrement à l'étude de recuit thermique rapide (RTA) ainsi qu'à l'influence de ces paramètres de fabrication sur les propriétés du carbure de silicium. Les méthodes de caractérisation employées sont entre autres la spectroscopie photoélectron par rayons-X (XPS) ainsi que la spectroscopie infrarouge (FTIR).

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Membranes de carbure de silicium produites par ablation laser pour les masques de lithographie à rayons-X
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La technique de l'ablation laser est de plus en plus utilisée pour la fabrication de films minces de haute qualité. Contrairement aux autres méthodes de dépôt utilisées pour la fabrication de membranes pour masques X (PECVD, CVD), l'ablation laser s'effectue à basse température et produit des films non hydrogénés. Nous avons réussi à produire des membranes de SiC de 2.5 cm de diamètre en irradiant une cible de ce matériau à l'aide d'un laser KrF (λ = 249 nm). La variation du taux de dépôt, l'uniformité et la qualité des films produits en fonction des paramètres du laser sont présentés …

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Réduction des contraintes mécaniques dans les couches minces de tungstène pour la lithographie par rayons X
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Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …

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