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Colloque
Colloque
La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer …
Colloque
L'irradiation de substrats de silice (SiO2) par des ions de haute énergie mène à la formation de guide d'ondes près de la surface. Bien que les défauts et les centres de couleur ainsi créés donnent lieu à des applications technologiques utiles, un modèle physique clair reste encore à trouver. La technique de spectroscopie d'annihilation de positrons d'énergie variable est particulièrement bien adaptée à l'étude des défauts se trouvant près de la surface et on l'a ici utilisée pour étudier des échantillons de silice irradiés avec des ions de Si et de Ge possédant des énergies comprises entre 1.5 et 27 …
