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Colloque
Le GaSe et le InSe font partie des composés III-VI et possèdent une structure anisotrope quasi-bidimensionnelle. Chaque couche est formée d'un empilement de quatre sous-couches disposées dans la séquence -Se-X-X-Se où X est soit Ga soit In. Des cristaux mixtes du type Ga1-xInxSe ont été produits dans la région riche en indium à l'aide de la méthode de croissance de Bridgman et étudiés par des mesures de réflectivité dans la région de forte absorption. Pour cela, la spectroscopie de modulation de longueur d'onde fut employée; celle-ci permet de mesurer simultanément et directement le spectre normal ainsi que sa dérivée par …
Colloque
Nous présentons les résultats de mesures du pouvoir thermoélectrique absolu, S, en fonction de température, dans divers alliages. En particulier, nous présentons des résultats pour le Cu1-xZrx, x prenant les valeurs 0.3, 0.35, 0.4, 0.45, 0.5, 0.55 et 0.6, et pour le Pd0.5Si0.5. Nous trouvons que pour le PdSi, S est positif et très petit, ~0.3 microvolt K-1, et qu'il s'accroît avec la température, de façon monotone mais non-linéaire. On trouve que S, pour tous les échantillons CuZr, démontre le comportement suivant: un coefficient faible et positif, ~2 microvolt K-1, lequel s'accroît linéairement en fonction de la température. Tous nos …
