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Colloque
La nature des fautes d'empilement épitaxiales de silicium d'orientation (111) est déduite sans partir de l'hypothèse que les dislocations partielles aux arêtes, déterminées par les intersections des plans de fautes {111}, sont du type a/6 <110>. De plus, on montre que les dislocations partielles aux quatre arêtes des fautes semi-octaédtrales, dans les couches d'orientation (100) ne peuvent pas être toutes du type a/6 <110>; par contre, les deux seules formes d'énergie minimum des fautes semi-octaédtrales sont celles pour lesquelles les dislocations partielles aux quatre arêtes sont du type a/3 <100>.
