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Changement de l'indice de réfraction de la silice dopée au germanium suite à l'implantation ionique à haute énergie et à l'illumination UV
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La silice dopée au germanium est rendue photosensible grâce à différentes techniques comme l’hydrogénation à haute pression ou la fabrication dans des conditions réduites. Nous utilisons une technique différente basée sur l’implantation ionique à haute énergie. Un changement d’indice de l’ordre de 10-2 est induit dans la matière transparente dans l’UV après l’implantation avec des ions de silicium à une énergie de quelques MeV. L’absorption optique augmente de près de 1000 cm-1 dans la région du 5 eV. Ces bandes d’absorption sont centrées à des longueurs d’ondes proches de celles observées dans la fibre optique photosensible contenant du germanium, mais …

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Changement de l'indice de réfraction de la silice dopée au germanium suite à l'implantation ionique à haute énergie et à l'illumination UV
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La silice dopée au germanium est rendue photosensible grâce à différentes techniques comme l’hydrogénation à haute pression ou la fabrication dans des conditions réduites. Nous utilisons une technique différente basée sur l’implantation ionique à haute énergie. Un changement d’indice de l’ordre de 10-2 est induit dans la matière transparente dans l’UV après l’implantation avec des ions de silicium à une énergie de quelques MeV. L’absorption optique augmente de près de 1000 cm-1 dans la région du 5 eV. Ces bandes d’absorption sont centrées à des longueurs d’ondes proches de celles observées dans la fibre optique photosensible contenant du germanium, mais …

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