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Photosensibilité de Ge : SiO2 implanté à haute énergie
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La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer …

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Photosensibilité de Ge : SiO2 implanté à haute énergie
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La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer …

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