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Colloque
Le blanchissage de la bande d'absorption à 5 eV et la création d'autres bandes à plus haute et plus faible énergies ont été examinés dans le cas de l'irradiation de la silice dopée au germanium (5GeO2:95SiO2) par les lasers excimères ArF (6.4 eV) et KrF (5 eV). On reporte une différence dans le processus de transformation des deux composantes formant la bande à 5 eV. La première composante à l'origine d'un défaut absorbant à une énergie de 5.06 eV et qui est appelée "neutral oxygen monovacancy" (NOMV) se transforme en des centres qui piègent des électrons et qu'on appelle "germanium …
