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La production industrielle des fibres de SiC par la pyrolyse du poly(diméthylsilane) en 1978 a resuscité l'intérêt des chercheurs vers les polymères organiques de silicium. Une avalanche de nouveaux précurseurs ont été étudiés par raport à leur aptitude de former non seulement SiC, mais aussi d'autres matériaux, comme Si3N4, les oxydes "dopés" SiOC, SiON, ou SiCxNy. Ces matériaux, façonnés en membranes, mais encore plus important, en couches minces, sont à la base du nouvel essor de l'industrie des semiconducteurs. Pendant que les méthodes CVD dominent actuellement la production des films céramiques pour l'industrie microélectronique, des méthodes à l'echelle "méso-moleculaire" adaptées …