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Colloque
L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments …
Colloque
L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments …
