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Colloque
La caractérisation des transistors de puissance est laborieuse (effets thermiques) et ne génère pas de résultats précis. De plus, les modèles locaux conventionnels ne prédisent pas avec précision les caractéristiques des HBTs de dimensions importantes. Ces dispositifs possèdent une nature distribuée qui ne peut être incluse dans les modèles localisés. Les travaux récents nous rapportent que la caractérisation des HBTs de dimensions réduites (dispositifs faible puissance) est relativement facile et un modèle localisé est adéquat pour prédire leurs caractéristiques dans un grand nombre de situations. Puisque les HBTs de puissance se sont souvent une connexion parallèle d'un nombre de cellules …
