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Colloque
Il est souhaitable d'obtenir le maximum de puissance d'un oscillateur à micro-ondes. La caractéristique non-linéaire de la source de courant d'un FET fabriqué en AsGa génère des signaux à des fréquences harmoniques de la fondamentale. On peut donc supposer que la modification des charges vues par les signaux harmoniques auront un effet sur le signal de sortie de l'oscillateur ainsi que sur la puissance livrée à la fondamentale. L'étude de l'effet des charges de terminaison et de sortie vues par les harmoniques sur la puissance livrée à la fondamentale a été faite à l'aide de simulations par ordinateur et la …
Colloque
Cette communication présente une nouvelle méthode de conception des multiplicateurs de fréquence à transistor. Les résultats expérimentaux d'un transistor NE 71083 mesuré sur le banc de mesure à charges actives multiharmoniques sont utilisés pour concevoir un tripler de fréquence 2.5 à 7.5 GHz. Les choix du point de polarisation, du niveau de puissance d'entrée, des harmoniques à la fréquence fondamentale et aux harmoniques sont considérés pour optimiser le fonctionnement du tripler en termes de gain de conversion et d'efficacité.
Colloque
Dans les vingt dernières années, plusieurs articles ont été publiés sur les diviseurs de puissance micro-ondes avec sorties égales en phase et en amplitude. Par contre, dans plusieurs applications un diviseur du même type mais avec un rapport de puissance à la sortie inusité est souvent requis. Récemment, WAHI a proposé une méthode pour la conception d'un tel diviseur constitué de deux sections centrales. Bien que de bons résultats furent obtenus, la procédure de conception doit être généralisée à un nombre de sections quelconques pour satisfaire les spécifications de largeur de bande et d'adaptation imposées. Un tel essai vient donc …
Colloque
L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments …
