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Colloque
Le développement croissant des communications par satellites et des communications mobiles nécessitent la fabrication de circuits intégrés micro-ondes de plus en plus performants au point de vue puissance, efficacité énergétique et linéarité. Le CAO/FAO de ces circuits intégrés exigent une modélisation précise des dispositifs actifs utilisés. Or, il est bien connu que les dispositifs en arséniure de gallium souffrent d’effets thermiques et dispersifs importants qui les rendent difficiles à modéliser. On peut étudier ce caractère dispersif à l’aide de mesures à très haute température des paramètres S à une impulsion. Pour ce faire, nous avons développé un analyseur de réseau …
