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Les composés GaSe et InSe sont des semiconducteurs quasi-bidimensionnels. D'après leurs propriétés optiques, ils possèdent une structure de bandes identique. La luminescence de ces composés regroupe plusieurs phénomènes. La recombinaison d'excitons libres ou liés, de donneurs et d'accepteurs et la présence d'une émission stimulée sont les principaux centres de luminescence. Avec une technique de laser pulsé nous discutons de l'évolution des spectres d'émission en fonction des paramètres: température, intensité et polarisation. Nous discutons également des temps de vie des niveaux électroniques de façon à proposer des modèles sur les mécanismes de recombinaisons radiatives.