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Le composé GaSe est un semiconducteur à structure en couches possédant un gap d'environ 2 eV. Les propriétés optiques de ce matériau soulèvent un intérêt particulier dû à la présence d'excitons sous la bande de conduction. Plusieurs phénomènes non-linéaires tels que la bistabilité optique et la présence d'émission stimulée sont directement reliés à la présence d'excitons dans GaSe. Notre étude a donc pour but d'établir la nature, directe ou indirecte, de même que les positions énergétiques de ces excitons. La thermoréflexivité est une technique qui s'avère très sensible au voisinage des transitions excitoniques. Cette grande sensibilité provient du fait que …
Le composé GaSe est un semiconducteur à structure en couches possédant un gap d'environ 2 eV. Les propriétés optiques de ce matériau soulèvent un intérêt particulier dû à la présence d'excitons sous la bande de conduction. Plusieurs phénomènes non-linéaires tels que la bistabilité optique et la présence d'émission stimulée sont directement reliés à la présence d'excitons dans GaSe. Notre étude a donc pour but d'établir la nature, directe ou indirecte, de même que les positions énergétiques de ces excitons. La thermoréflexivité est une technique qui s'avère très sensible au voisinage des transitions excitoniques. Cette grande sensibilité provient du fait que …
L'étude des propriétés ferroélectriques, par le biais des sondes locales que sont la luminescence et l'absorption infrarouge des impuretés contenues dans les cristaux, est d'un grand intérêt puisqu'elle permet d'obtenir des renseignements sur les champs locaux ainsi que leur évolution avec la transition de phase. Les spectres de luminescence consistent en une transition électronique pure à 1460 cm-1 suivie de répliques phononiques s'étalant de 14520 à 13000 cm-1. La transition électronique pure montre une structure fine (dont le nombre de répliques est réduit, selon nous, à une levée de dégénérescence, par le champ cristallin, du niveau excité (J=3). En absorption …