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Texturation des semi-conducteurs par implantation ionique d'hydrogène et lithographie électronique
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Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …

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La photonique térahertz
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Les améliorations récentes au niveau des sources laser à impulsions ultracourtes et des dispositifs photoniques utilisés comme émetteurs et détecteurs de rayonnement terahertz permettent d'entrevoir le développement de nouveaux outils de diagnostic dans le domaine du biomédical et du contrôle de qualité en industrie. La physique des émetteurs et des détecteurs terahertz, fabriqués à partir d'une technologie de semi-conducteurs III-V, sera brièvement revue. Quelques astuces expérimentales mises de l'avant afin d'améliorer les performances de ces dispositifs seront discutées. Nous décrirons les techniques expérimentales utilisées pour caractériser ces dispositifs et présenterons quelques exemples d'applications des techniques d'imagerie et de spectroscopie terahertz.

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