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Colloque
La technique de lithographie par faisceau d'électrons a été utilisée pour fabriquer des motifs de taille submicromique permettant de mettre en évidence les effets de quantification de la conductance caractéristique d’un système électronique unidimensionnel (1D). La quantification 1D est obtenue par confinement électrostatique d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2D) présent dans une hétérostructure GaAs-GaAlAs de haute mobilité à l’aide de grilles métalliques de forme adéquate déposées en surface de la structure. Un potentiel de l’ordre de -1 V appliqué sur ces grilles permet de découpler le gaz 2D dans les régions sous-jacentes à celles-ci, en ne laissant comme passage accessible aux …
Colloque
Le (TMTSF)2ClO4 (ditétraméthyléthylésalénalfalvalène perchlorate) est un conducteur organique quasi-unidimensionnel. En plus d'une phase supraconductrice à 1.5 K, ce sel de Bechgaard présente, pour des températures inférieures à 10K, une série de transitions de phase de type Onde de densité de spin sous champ magnétique intense (≥ 10 T). Une mesure champ magnétique-résistance dans ces conditions permet d'observer ces changements de phase. De plus, des oscillations de type Shubnikov-de Haas (périodiques en 1/B) sont alors observables dans la magnétorésistance. Nous présenterons des mesures détaillées de l'alignement des moments magnétiques et des oscillations de Haas-van Alphen (tendant accès à la valeur de …
Colloque
Les progrès récents accomplis dans les techniques de croissance épitaxiale ont permis la réalisation de lasers à hétérostructures à couche active contrainte. Cela a conduit à un abaissement significatif du courant de seuil de ces dispositifs. Une connaissance précise de la masse effective (m*) des porteurs, de l'énergie des niveaux quantiques et de leur variation avec la contrainte et la composition des couches est nécessaire pour optimiser les performances de ces lasers. Nous avons utilisé la technique de résonance cyclotron pour déterminer m* dans des structures à simple puits quantique de type n et de type p présentant différents niveaux …
Colloque
Les hétérostructures GaAs-AlAs possèdent un important potentiel d'applications en microélectronique et en optoélectronique. L'hétérostructure GaAs-AlAs-GaAs sur laquelle notre étude s'appuie présente, dans la direction (100), un profil de bande de la forme d'une barrière de potentiel au point Γ et d'un puits quantique au point X du réseau réciproque. Notre étude porte sur le processus de diffusion élastique intervalle f-X, lorsqu'un électron traverse une interface. Les échantillons ont été élaborés et dopés de type n par la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Des mesures de transport à basse température (4.2 K) de courant vs tension appliquée, effectuées sous différentes …
Colloque
La photoluminescence est une technique puissante pour sonder la structure de bande des semiconducteurs. Elle permet aussi d'étudier les impuretés de ces mêmes matériaux, et ce, même lorsqu'elles sont présentes à de très faibles concentrations. Dans le cas des semiconducteurs III-V, un champ magnétique intense permet de séparer suffisamment les niveaux de Landau pour permettre l'étude de la non-parabolicité de la bande de conduction. Le champ magnétique permet aussi de séparer les différentes composantes Zeeman d'une raie d'impureté permettant ainsi d'en identifier sa nature chimique. Nous expliquerons ici le principe de fonctionnement d'un système utilisant une fibre optique qui permet …
Colloque
Le matériau GaInAs épitaxié sur InP possède un important potentiel d'application en optoélectronique et en microélectronique. Nous avons effectué des mesures de résonance cyclotron et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70,5μm≤λ≤531μm) et sous champ magnétique (B≤15T) sur des échantillons de haute qualité (μ=70000 cm²/Vs à 77K), produits par la méthode de croissance MOVCD. Plusieurs nouveaux pics de photoconductivité ont pu être mis en évidence, ce qui donne accès à des renseignements originaux concernant le niveau d'impuretés dans ce matériau. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la masse effective électronique. Les résultats sont analysés et …
